Nexperia 宣布扩大MOSFET 封装选项

    Nexperia 宣布扩大其 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装选项，之前仅提供 LFPAK56E 封装，现在还包括 LFPAK56 和 LFPAK88 封装。

    这些器件旨在将电信、服务器计算、工业、电源、快速充电、USB-PD 和电机控制应用中的高效率与减少尖峰行为结合起来。

    Q g *R DSon品质因数长期以来一直是旨在提高 MOSFET 开关效率的半导体制造商关注的焦点。

    然而，将该数字压得更低会产生意想不到的后果：MOSFET 开启或关闭时尖峰电平增加，从而增加产生的电磁干扰 (EMI) 量。

    确定这是一个新出现的问题后，Nexperia 开始研究如何修改其他工艺技术参数来帮助解决该问题。

    这些努力终导致 Nexperia 发布了具有较低 Q rr（反向恢复电荷）的 NextPower 80/100 V MOSFET，使它们能够显着减少开关转换期间的尖峰量，同时表现出与竞争 MOSFET 相同的高效性能，但 EMI 更低。

    通过在 LFPAK56 和 LFPAK88 中提供这些高效率、低尖峰的 NextPower 80/100 V MOSFET，Nexperia 不仅使设计人员能够缩小应用尺寸并从铜夹封装的增强稳健性中受益，而且还为设计工程师提供了新的选择以及希望为其现有设计寻找额外来源的客户。